Çinli bir komanda 1,2 μm diapazonlu yüksək güclü tənzimlənən Raman lifli lazer hazırlayıb.

Çinli bir komanda 1,2 μm diapazonlu yüksək güclü tənzimlənən Raman hazırlayıb.lif lazer

Lazer mənbələri1.2 μm diapazonda işləyən lazerlər fotodinamik terapiya, biotibbi diaqnostika və oksigen sensorlarında bəzi unikal tətbiqlərə malikdir. Bundan əlavə, onlar orta infraqırmızı işığın parametrik generasiyası və tezliklərin ikiqat artırılması yolu ilə görünən işığın yaradılması üçün nasos mənbələri kimi istifadə edilə bilər. 1.2 μm diapazonda lazerlər müxtəlif üsullarla əldə edilmişdir.bərk cisimli lazerlər, o cümlədənyarımkeçirici lazerlər, almaz Raman lazerləri və lif lazerləri. Bu üç lazer arasında lif lazerinin sadə quruluşu, yaxşı şüa keyfiyyəti və çevik işləmə üstünlükləri var ki, bu da onu 1,2 μm zolaqlı lazer yaratmaq üçün ən yaxşı seçim edir.
Bu yaxınlarda Çində professor Pu Çjounun rəhbərlik etdiyi tədqiqat qrupu 1,2 μm diapazonda yüksək güclü lif lazerləri ilə maraqlanır. Hazırkı yüksək güclü liflazerlərəsasən 1 μm diapazonda ytterbiumla zənginləşdirilmiş lif lazerləridir və 1,2 μm diapazonda maksimum çıxış gücü 10 Vt səviyyəsi ilə məhdudlaşır. Onların “1,2 μm dalğa diapazonunda yüksək güclü tənzimlənən Raman lif lazeri” adlı işi Frontiers of jurnalında dərc edilmişdir.Optoelektronika.

ŞƏKİL 1: (a) 1,2 μm diapazonda yüksək güclü tənzimlənən Raman lif gücləndiricisinin və (b) tənzimlənən təsadüfi Raman lif toxum lazerinin eksperimental quraşdırılması. PDF: fosforla zənginləşdirilmiş lif; QBH: Kvars kütləsi; WDM: Dalğa uzunluğu bölmə multipleksoru; SFS: superflüoresan lif işıq mənbəyi; P1: port 1; P2: port 2. P3: port 3-ü göstərir. Mənbə: Zhang Yang və digərləri, 1,2 μm dalğa diapazonunda yüksək güclü tənzimlənən Raman lif lazeri, Frontiers of Optoelectronics (2024).
Məqsəd, 1,2 μm diapazonda yüksək güclü lazer yaratmaq üçün passiv lifdə stimullaşdırılmış Raman səpələnmə effektindən istifadə etməkdir. Stimullaşdırılmış Raman səpələnməsi fotonları daha uzun dalğa uzunluqlarına çevirən üçüncü dərəcəli qeyri-xətti effektdir.

Şəkil 2: (a) 1065-1074 nm və (b) 1077 nm nasos dalğa uzunluqlarında tənzimlənən təsadüfi RFL çıxış spektrləri (Δλ 3 dB xətt eninə aiddir). Mənbə: Zhang Yang və digərləri, 1.2μm dalğa zolağında yüksək güclü tənzimlənən Raman lifli lazer, Optoelektronikanın Sərhədləri (2024).
Tədqiqatçılar, 1 μm diapazonda yüksək güclü ytterbiumla zənginləşdirilmiş lifi 1,2 μm diapazona çevirmək üçün fosforla zənginləşdirilmiş lifdə stimullaşdırılmış Raman səpilmə effektindən istifadə etdilər. 1252,7 nm-də 735,8 Vt-a qədər gücə malik Raman siqnalı əldə edildi ki, bu da bu günə qədər bildirilən 1,2 μm diapazonlu lif lazerinin ən yüksək çıxış gücüdür.

Şəkil 3: (a) Müxtəlif siqnal dalğa uzunluqlarında maksimum çıxış gücü və normallaşdırılmış çıxış spektri. (b) Müxtəlif siqnal dalğa uzunluqlarında tam çıxış spektri, dB ilə (Δλ 3 dB xətt eninə aiddir). Mənbə: Zhang Yang və digərləri, 1.2μm dalğa zolağında yüksək güclü tənzimlənən Raman lifli lazer, Optoelektronikanın Sərhədləri (2024).

Şəkil 4: (a) 1074 nm dalğa uzunluğunda yüksək güclü tənzimlənən Raman lif gücləndiricisinin spektr və (b) güc təkamülü xüsusiyyətləri. Mənbə: Zhang Yang və digərləri, 1.2μm dalğa zolağında yüksək güclü tənzimlənən Raman lif lazeri, Optoelektronikanın Sərhədləri (2024)