Keçən il Çin Elmlər Akademiyası Hefei Fizika Elmləri İnstitutunun Yüksək Maqnit Sahəsi Mərkəzinin tədqiqatçısı Sheng Zhigao komandası sabit vəziyyətə malik yüksək maqnit sahəsinə əsaslanan aktiv və ağıllı terahertz elektro-optik modulyator hazırlayıb. qurğu.Tədqiqat ACS Applied Materials & Interfaces jurnalında dərc olunub.
Terahertz texnologiyasının üstün spektral xüsusiyyətlərə və geniş tətbiq perspektivlərinə malik olmasına baxmayaraq, onun mühəndislik tətbiqi hələ də terahertz materiallarının və terahertz komponentlərinin inkişafı ilə ciddi şəkildə məhdudlaşır.Onların arasında terahertz dalğasının xarici sahə ilə aktiv və ağıllı idarə edilməsi bu sahədə mühüm tədqiqat istiqamətidir.
Terahertz əsas komponentlərinin qabaqcıl tədqiqat istiqamətini hədəfləyən tədqiqat qrupu iki ölçülü material qrafen əsasında terahertz stress modulatoru icad etmişdir [Adv.Optik Mater.6, 1700877(2018)], güclü əlaqəli oksidə əsaslanan Terahertz genişzolaqlı fotonəzarətli modulator [ACS Appl.Mater.İnter.12, 48811(2020)] və fonon əsaslı yeni tək tezlikli maqnitlə idarə olunan terahertz mənbəyindən sonra [Advanced Science 9, 2103229(2021)], əlaqəli elektron oksid vanadium dioksid filmi funksional təbəqə, çox qatlı struktur kimi seçilir. dizayn və elektron idarəetmə üsulu qəbul edilir.Terahertz ötürülməsinin, əks olunmasının və udulmasının çoxfunksiyalı aktiv modulyasiyasına nail olunur (Şəkil a).Nəticələr göstərir ki, keçiricilik və udma qabiliyyətinə əlavə olaraq, əks etdirmə və əks etdirmə fazası da elektrik sahəsi tərəfindən aktiv şəkildə tənzimlənə bilər ki, burada əksetmə modulasiyasının dərinliyi 99,9% -ə çata bilər və əksetmə mərhələsi ~180o modulyasiyaya çata bilər (Şəkil b) .Daha maraqlısı odur ki, ağıllı terahertz elektrik idarəetməsinə nail olmaq üçün tədqiqatçılar yeni “terahertz – elektrik-terahers” əks əlaqə dövrəsi olan bir cihaz hazırladılar (Şəkil c).Başlanğıc şərtlərindəki və xarici mühitdəki dəyişikliklərdən asılı olmayaraq, ağıllı cihaz avtomatik olaraq təyin edilmiş (gözlənilən) terahertz modulyasiya dəyərinə təxminən 30 saniyəyə çata bilər.
(a) bir-in sxematik diaqramıelektro optik modulatorVO2 əsasında
(b) təsirlənmiş cərəyanla keçiricilik, əks etdirmə, udma və əksetmə fazasının dəyişməsi
(c) ağıllı idarəetmənin sxematik diaqramı
Aktiv və ağıllı terahertsin inkişafıelektro-optik modulyatorəlaqəli elektron materiallar əsasında terahertz ağıllı idarəetmənin həyata keçirilməsi üçün yeni bir fikir təqdim edir.Bu iş Milli Açar Tədqiqat və İnkişaf Proqramı, Milli Təbiət Elmləri Fondu və Anhui Əyalətinin Yüksək Maqnit Sahəsi Laboratoriyası İstiqamət Fondu tərəfindən dəstəklənib.
Göndərmə vaxtı: 08 avqust 2023-cü il